Mit der Entwicklung der Halbleiterleuchtdiode (LED) und Leistungselektronik, Vorbereitung Ⅲ-Dünnfilmmaterials mehr Aufmerksamkeit von Forschern. Zahlreiche Durchbrüche in der Technologie und Testverfahren, um das Wachstum von GaN Materialien wie LED, Halbleiterlasern und hohe Beweglichkeit (HEMT) epitaktisches und andere elektronische Ger?te, die Industrialisierung erzielen. Der GaN-Film Material wie die Basis für viele Anwendungen, eine für sein Wachstum Prozess- und Materialeigenschaften viel Forschungsarbeit. Diese Studien befassen sich mit dem Substrat, Keimbildung und Zellkerne verschmelzen Prozessmaterial umfassende Analyse der verschiedenen Wachstumsparameter wurden optimiert LED DJ-Station, bekommen eine hochwertige GaN-Material zur gleichen Zeit eine Reihe von Epitaxie-Wachstumsbedingungen und die Materialqualit?t der jeweils anderen Beziehung. Jedoch aufgrund der Unterschiede in der Ausrüstung und des epitaktischen Wachstumsprozesses, müssen noch weitere Untersuchungen zur Verbesserung oder Erg?nzung dieser Beziehungen. Dieser Artikel konzentriert sich auf Experimente im wachsenden gemeinsame Reaktionskammer Druckbereich (100 ~ 500 Torr), die Auswirkungen der verschiedenen Wachstumsdruck für die nicht-dotierte GaN-Dünnfilmmaterial optischen Eigenschaften und elektrischen Eigenschaften. Es wurde festgestellt, dass Niederdruck 100 Torr (1 Torr = 133.3224Pa) Epitaxie-Wachstumsbedingungen, bezogen auf 500 Torr effektiv reduziert werden kann die Kohlenstoffverunreinigung Gasphasenreaktion zwischen NH3 und Ga-Quelle Kontamination verursacht dadurch zu unterdrücken, die sich ergebende blaue PL in 黄光峰 Hauptspitze von Die Bildung des hergestellten Materials spiegelt bessere optische Leistung. Die GaN-Schichten unter verschiedenen Drücken gewachsen spiegeln unterschiedliche elektrische Eigenschaften, n?mlich Hochdruck (500 Torr) Wachstum von Material stellt in der Regel eine h?here Ladungstr?gerkonzentration und eine h?here Mobilit?t LED-DJ-Sets, und Niederdruck (100 Torr) Wachstums Die Probe zeigt in der Regel niedriger Ladungstr?gerkonzentration und unteren Mobilit?ten. Die ideale undotierten GaN Material erfordert in der Regel sowohl eine niedrigere Tr?gerkonzentration und eine h?here Ladungstr?gerbeweglichkeit. Elektromagnetische Vertr?glichkeit bezieht sich auf das elektronische Ger?t noch in der Lage, die verschiedenen elektromagnetischen Umgebungsbedingungen sind zu koordinieren, um die F?higkeit, effektiv zu arbeiten. Der Zweck der elektromagnetischen Vertr?glichkeit Gestaltung elektronischer Ger?te sind nicht nur eine Vielzahl von au?erhalb Entst?rung LED DJ Preis, kann das elektronische Ger?t in einer speziellen elektromagnetischen Umgebung zu arbeiten, w?hrend die Verringerung der elektronischen Vorrichtung selbst elektromagnetische St?rungen mit anderen elektronischen Ger?ten . 1, eine vernünftige Wahl der Drahtbreite aufgrund der Auswirkungen von St?rungen in der Druckzeile Transienten vor allem durch die gedruckte Leiter Induktivit?tskomponente durch die Leiterbahnen verursacht wird und daher die Induktivit?t zu minimieren. Induktivit?t Leiterbahnen ist proportional zu seiner L?nge und umgekehrt proportional zu ihrer Breite, so kurz und feinen Draht ist zur Unterdrückung von St?rungen von Vorteil. Clock Blei, Line-Drive oder Busfahrt Signalleitungen enthalten oft eine gro?e übergangsstrom, Druckdraht so kurz wie m?glich. Für diskrete Schaltungskomponenten LED-DJ-Sets von Produktionsanlagen, die Leiterbahnbreite bei etwa 1,5 mm, kann in vollem Umfang die Anforderungen, für integrierte Schaltungen, gedruckt Drahtbreite zwischen 0,2 ~ 1,0 mm zu w?hlen. 2, mit der korrekten Routing-Strategie k?nnen die Verwendung der Gleichheit reduzieren Spuren Leitungsinduktivit?t, aber die gegenseitige Induktivit?t und die Streukapazit?t zwischen den Leitern erh?ht, wenn das Layout erm?glicht, vorzugsweise wannenf?rmige Maschenverdrahtungsstruktur, die die Querseite der Leiterplatte w?re Verdrahtung, die andere Seite der L?ngsverdrahtung, und eine Verbindung mit metallisierten L?chern in der Querbohrung. Um ein übersprechen zwischen Leitern auf Leiterplatten zu unterdrücken, sollte Verdrahtungsdesign in den Fern gleich Spuren vermieden werden.